參數(shù)資料
型號(hào)： FDC655AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 6300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 528K
代理商： FDC655AN
3
www.fairchildsemi.com
FDC655BN Rev. C(W)
F
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
6.0V
3.5V
4.5V
3.0V
V
GS
= 10V
4.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
5
10
15
20
25
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.5V
6.0V
4.0V
4.5V
5.0V
10V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
R
D
,
I
D
= 6.3A
V
GS
= 10.0V
0.01
0.03
0.05
0.07
0.09
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 3.2A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
25
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
°
C
-55
°
C
V
DS
= 5V
25
°
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
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PDF描述
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