參數(shù)資料
型號： FDC6420C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
中文描述： 3000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： FDC6420C
FDC6420C Rev C(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 3A
V
DS
= 5V
10V
15V
0
90
180
270
360
450
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 180
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
1
2
3
4
5
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 180°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
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