參數(shù)資料
型號： FDC6420C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
中文描述： 3000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： FDC6420C
FDC6420C Rev C(W)
Electrical Characteristics
Symbol
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Test Conditions
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current
Q1
Q2
0.8
–0.8
1.2
–1.2
A
V
SD
Q1
Q2
V
GS
= 0 V, I
S
= 0.8 A
V
GS
= 0 V, I
S
= 0.8 A
(Note 2)
0.7
–0.8
Drain–Source Diode Forward
Voltage
(Note 2)
V
Notes:
1.
R
JA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R
θ
JC
is guaranteed by design while R
θ
CA
is determined by the user's board design.
a) 130
°
C/W when
mounted on a 0.125
in
pad of 2 oz.
copper.
b) 140 °C/W when
mounted on a .004 in
2
pad of 2 oz copper
c) 180 C°/W when mounted on a
minimum pad.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2.
Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
F
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PDF描述
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參數(shù)描述
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