參數(shù)資料
型號(hào)： FDC638P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 4500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 240K
代理商： FDC638P
FDC638P Rev.B
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -4.5V
- 2.5V
D
- 2.0V
-3.0V
0
5
10
15
20
0.8
1
1.2
1.4
1.6
- I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.5V
GS
R
D
-4.5V
-3.0V
-4.0V
-3.5V
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 5.Transfer Characteristics.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
1
10
20
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
25°C
-55°C
V = 0V
GS
S
T = 125°C
Figure 4. On Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = -4.5V
GS
I = -4.5A
D
R
D
1
2
3
4
5
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
- V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
T = 125°C
A
25°C
I = -2.0A
D
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4
0
4
8
12
16
20
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
V = -5V
DS
D
T = -55°C
J
125°C
25°C
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6392S 20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
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FDC6420C 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
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