參數(shù)資料
型號(hào)： FDC636P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2800 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： FDC636P
FDC636P Rev.B
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
20
50
100
200
400
600
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I = -2.8A
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
20
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
RDS(ON) LIMIT
A
T = 25°C
DC
1s
100ms
10ms
1ms
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R =156 °C/W
JA
100us
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =156°C/W
T = 25°C
JA
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 156°C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC637AN Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC637BNZ N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 6.2A, 24mヘ
FDC638APZ P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET -20V, -4.5A, 43mohm
FDC638 P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC638P P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC636P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6
FDC636P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORS MOSFET TRANSISTOR POLARITY:
FDC636P_F095 功能描述:MOSFET -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC637AN 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC637AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 20V, 6.2A, SUPER SOT-6
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*