參數(shù)資料
型號(hào)： FDC636P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2800 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 198K
代理商： FDC636P
FDC636P Rev.B
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -4.5V
- 2.5V
D
- 2.0V
-3.0V
-3.5V
0
3
6
9
12
15
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.5V
R
D
-4.5V
-3.0V
-4.0V
-3.5V
-5.0V
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-
S
25°C
-55°C
V = 0V
J
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-To-Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = - 4.5V
I = - 2.8A
R
D
1
2
3
4
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
-V ,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
T = 125°C
25°C
I = -1.4A
0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
10
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -5V
T = -55°C
125°C
25°C
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
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