型號(hào): | FDB070AN06A0 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m |
中文描述: | 15 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封裝: | TO-263AB, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 12/12頁 |
文件大小: | 599K |
代理商: | FDB070AN06A0 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FDP070AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m |
FDB12N50 | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
FDB12N50TM | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
FDI12N50 | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
FDI12N50TU | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDB070AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
FDB070AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDB070AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDB075N15A | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDB075N15A_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |