參數(shù)資料
型號： FDP070AN06A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m
中文描述： 15 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 599K
代理商： FDP070AN06A0
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
March 2003
FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 Rev. B
F
FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0
N-Channel PowerTrench
MOSFET
60V, 80A, 7m
Features
r
DS(ON)
= 6.1m
(Typ.), V
GS
= 10V, I
D
= 80A
Q
g
(tot) = 51nC (Typ.), V
GS
= 10V
Low Miller Charge
Low Q
RR
Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Qualified to AEC Q101
Formerly developmental type 82567
Applications
Motor / Body Load Control
ABS Systems
Powertrain Management
Injection Systems
DC-DC converters and Off-line UPS
Distributed Power Architectures and VRMs
Primary Switch for 12V and 24V systems
MOSFET Maximum Ratings
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems
certification.
Symbol
V
DSS
V
GS
Parameter
Ratings
60
±
20
Units
V
V
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T
C
< 97
o
C, V
GS
= 10V)
Continuous (T
A
= 25
o
C, V
GS
= 10V, R
θ
JA
= 43
o
C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25
o
C
Operating and Storage Temperature
I
D
80
A
15
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
Figure 4
190
175
1.17
-55 to 175
E
AS
P
D
T
J
, T
STG
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Thermal Resistance Junction to Case TO-220,TO-263
0.86
o
C/W
o
C/W
o
C/W
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220,TO-263 (Note 2)
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in
2
copper pad area
62
43
D
G
S
TO-263AB
FDB SERIES
GATE
SOURCE
DRAIN
(FLANGE)
TO-220AB
FDP SERIES
DRAIN
(FLANGE)
DRAIN
GATE
SOURCE
相關PDF資料
PDF描述
FDB12N50 N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
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FDI12N50 N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDI12N50TU N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDP075N15A 功能描述:MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerTrench® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FDP075N15A_F102 功能描述:MOSFET 150V NChan PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP083N15A 功能描述:MOSFET N-CH 150V TO-220-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerTrench® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FDP083N15A_F102 功能描述:MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP085N10A 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerTrench® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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