參數(shù)資料
型號： FDB070AN06A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m
中文描述： 15 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 599K
代理商： FDB070AN06A0
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 Rev. B
F
PSPICE Thermal Model
REV 23 March 2003
FDB070AN06A0T
CTHERM1 TH 6 3.5e-3
CTHERM2 6 5 1.7e-2
CTHERM3 5 4 1.8e-2
CTHERM4 4 3 1.9e-2
CTHERM5 3 2 4.7e-2
CTHERM6 2 TL 7e-2
RTHERM1 TH 6 2e-2
RTHERM2 6 5 7e-2
RTHERM3 5 4 1e-1
RTHERM4 4 3 1.5e-1
RTHERM5 3 2 1.6e-1
RTHERM6 2 TL 1.85e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB070AN06A0T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =3.5e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =1.7e-2
ctherm.ctherm3 5 4 =1.8e-2
ctherm.ctherm4 4 3 =1.9e-2
ctherm.ctherm5 3 2 =4.7e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =7e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =2e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =7e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =1e-1
rtherm.rtherm4 4 3 =1.5e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =1.6e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =1.85e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP070AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m
FDB12N50 N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDB12N50TM N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDI12N50 N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDI12N50TU N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDB070AN06A0_F085 功能描述:MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB070AN06A0_Q 功能描述:MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB075N15A 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB075N15A_F085 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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