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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDS5104ABTA-6B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | RP15 (F) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 12V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 15 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package; Efficiency to 88% |
| 中文描述： | 128M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | EDS5104ABTA-6B |
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EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
DQM, UDQM and LDQM
(input pins)
DQM controls input/output buffers. In 32M
×
16 products, UDQM and LDQM control upper byte (DQ8 to DQ15) and
lower byte (DQ0 to DQ7).
Read operation: If DQM is High, the output buffer becomes High-Z. If the DQM is Low, the output buffer becomes
Low-Z. (The latency of DQM during reading is 2 clocks.)
Write operation: If DQM is High, the previous data is held (the new data is not written). If DQM is Low, the data is
written. (The latency of DQM during writing is 0 clock.)
DQ0 toDQ15 (input/output pins)
Data is input to and output from these pins (DQ0 to DQ3; EDS5104AB , DQ0 to DQ7; EDS5108AB, DQ0 to DQ15;
EDS5116AB).
VDD, VSS, VDDQ, VSSQ (Power supply)
VDD and VSS are power supply pins for internal circuits. VDDQ and VSSQ are power supply pins for the output
buffers.
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS5108ABTA-6B | 512M bits SDRAM |
| EDS5104ABTA-75 | 512M bits SDRAM |
| EDS5108ABTA-75 | 512M bits SDRAM |
| EDS5104ABTA-7A | 512M bits SDRAM |
| EDS5108ABTA-7A | 512M bits SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS5104ABTA-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
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| EDS5108ABTA-6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
| EDS5108ABTA-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
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