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參數(shù)資料
| 型號： | EDL1216AASA-75-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | GT 5C 5#16S PIN RECP WALL RM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封裝： | FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 30/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | EDL1216AASA-75-E |
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EDL1216AASA
Data Sheet E0196E30 (Ver. 3.0)
30
Burst Termination
There are two methods to terminate a burst operation other than using a Read or a Write command. One is the
burst stop command and the other is the precharge command.
Burst Termination in READ Cycle
During a read cycle, when the burst stop command is issued, the burst read data are terminated and the data bus
goes to High-Z after the /CAS latency from the burst stop command.
READ
Command
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Burst length = X
Q1
Q2
Q3
DQ
/CAS latency = 2
Hi-Z
Q1
Q2
Q3
DQ
/CAS latency = 3
Hi-Z
BST
Burst Termination in READ Cycle
Remark: BST: Burst stop command
Burst Termination in WRITE Cycle
During a write cycle, when the burst stop command is issued, the burst write data are terminated and data bus goes
to High-Z at the same clock with the burst stop command.
D2
D3
D4
WRITE
DQ
Command
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Burst length = X
BST
Hi-Z
D1
Burst Termination in WRITE Cycle
Remark: BST: Burst stop command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| EDL5132CBMA | 512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits) |
| EDS1232CABB | 128M bits SDRAM |
| EDS1232CASE-1A-E | ER 8C 7#16 1#12 PIN RECP LINE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| EDL1216CASA-10-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits Mobile RAM |
| EDL1216CFBJ | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits Mobile RAM? |
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