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參數(shù)資料
| 型號： | EDE5116AJBG |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512M比特DDR2 SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 589K |
| 代理商： | EDE5116AJBG |
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EDE5108AJBG, EDE5116AJBG
Preliminary Data Sheet E1044E20 (Ver. 2.0)
30
Current state
/CS
/RAS /CAS /WE
Address
Command
Operation
Note
Write
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end
-> Write recovering
Continue burst to end
-> Write recovering
ILLEGAL
L
H
H
H
×
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
1
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
Burst interrupt
1, 4
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
1, 8
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
8
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
Read with auto
precharge
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
Continue burst to end ->
Precharging
Continue burst to end ->
Precharging
ILLEGAL
H
×
×
×
×
DESL
L
H
H
H
×
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
1, 7
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1, 7
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1, 7
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
1, 7, 8
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
7, 8
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
Continue burst to end
->Write recovering with auto
precharge
Continue burst to end
->Write recovering with auto
precharge
ILLEGAL
Write with auto
Precharge
H
×
×
×
×
DESL
L
H
H
H
×
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
1, 7
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1, 7
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1, 7
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
1, 7, 8
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
7, 8
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| EDE5116AJBG-1J-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
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| EDE5116AJBG-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
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