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  1. 4n60場效應(yīng)管

    • PHP4N60E ,4N60E,場效應(yīng)管，6年通會(huì)員

      類型:其他IC | 品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:4N60E，PHP4N60E | 最大漏極電流:/ | 跨導(dǎo):/ | 開啟電壓:/ | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:/ | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):// | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/

    • 詢 價(jià)

    • 場效應(yīng)管 MOS管 MOSFET管 1N60 TO-92

      品牌:HX | 型號:HX1N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導(dǎo):70 | 最大漏極電流:1200 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:30 | 最大耗散功率:1000

    • 1000-9999 個(gè)

      ￥0.35

    • 10000-29999 個(gè)

      ￥0.30

    • ≥30000 個(gè)

      ￥0.28

    • 詢 價(jià)

    • 士蘭微 SVF4N60D

      品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF4N60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:15+ | 是否提供加工定制:是 | 封裝:TO-252

    • 2500-9999 千克

      ￥0.82

    • ≥10000 千克

      ￥0.80

    • 詢 價(jià)

    • STMOS管STP4NK60ZFP

      品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:ST原裝正品 | 跨導(dǎo):ST原裝正品 | 開啟電壓:ST原裝正品 | 夾斷電壓:ST原裝正品 | 低頻噪聲系數(shù):ST原裝正品 | 極間電容:ST原裝正品 | 最大耗散功率:ST原裝正品

    • 詢 價(jià)

    • SVD4N60T

      品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:1406+ | 封裝:TO-220F

    • ≥50 個(gè)

      ￥2.00

    • 詢 價(jià)

    • 場效應(yīng)管FQPF4N60TO-220AB/220F

      應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:FQPF4N60C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:600 | 極性:N/P型 | 集電極最大允許電流ICM:4 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

    • 詢 價(jià)

    • FQPF4N60C FSC 塑封

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥500 個(gè)

      ￥0.85

    • 詢 價(jià)

    • 東芝 場效應(yīng)管 K4A60DB

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K4A60DB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅(qū)動(dòng)IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

    • ≥5000 個(gè)

      ￥1.50

    • 詢 價(jià)

    • 東芝進(jìn)口 場效應(yīng)管 TK4A60DB

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TK4A60DB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅(qū)動(dòng)IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

    • ≥5000 個(gè)

      ￥1.10

    • 詢 價(jià)