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- 場(chǎng)效應(yīng)管IRF630/F630
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF640/IRF630 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.26
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管IRF640A/IRF640
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF640/IRF630 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.26
- 詢(xún) 價(jià)
- IRF630 IRF630A IRF630B IRF630N
- ≥1000 千克
  
  ￥0.20
- 詢(xún) 價(jià)
- 超場(chǎng)效應(yīng)管IRF630，TO-220,ST
  
  品牌:進(jìn)口/臺(tái)灣國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):IRF630 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道，N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
- ≥1 千克
  
  ￥0.10
- 詢(xún) 價(jià)
- IRF630A 三星 TO-220 N通道功率MOS 9A 200V
  
  品牌:Samsung/三星 | 型號(hào):IRF630A | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | ID:9A | VDSS:200V | 封裝:TO-220
- 10-99 個(gè)
  
  ￥0.30
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.25
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢(xún) 價(jià)
- 三極管IRF630進(jìn)口件強(qiáng)調(diào)原字
  
  應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插形
- ≥100 PCS
  
  ￥0.30
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF630
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630 IRF640 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢(xún) 價(jià)
- 超場(chǎng)效應(yīng)管IRF630，TO-220,ST
  
  品牌:進(jìn)口/臺(tái)灣/國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):IRF630 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:LLCC/無(wú)引線(xiàn)陶瓷片載 | 材料:HEMT高電子遷移率
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irf630場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管IRF630[進(jìn)口]
  
  品牌:IR ST 仙童 | 型號(hào):IRF630 IRF640 IRF720 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開(kāi)啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢(xún) 價(jià)
- 進(jìn)口IRF630《場(chǎng)效應(yīng)系列》《儀器，包上機(jī)使用》
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：拆機(jī)mos
- ≥10 個(gè)
  
  ￥0.15
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF630 IRF630N 嚴(yán)格
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irf630n場(chǎng)效應(yīng)管 irf630場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.18
- 詢(xún) 價(jià)
- IRF630N 摩托羅拉 TO-220 N通道功率MOS 9A 200V
  
  品牌:Motorola/摩托羅拉 | 型號(hào):IRF630N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | ID:9A | VDSS:200V | 封裝:TO-220
- 10-99 個(gè)
  
  ￥0.30
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.25
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢(xún) 價(jià)
- IRF630N IRF630NPBF IR TO-220 N通道功率MOS 9.3A 200V
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):IRF630NPBF | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | ID:9.3A | VDSS:200V | 封裝:TO-220
- 10-99 個(gè)
  
  ￥0.35
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.30
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.25
- 詢(xún) 價(jià)
- IRFS630B IRF630 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 mos拆機(jī)
- 10-999 個(gè)
  
  ￥0.25
- 1000-9999 個(gè)
  
  ￥0.20
- ≥10000 個(gè)
  
  ￥0.18
- 詢(xún) 價(jià)
- IRF630 IRF630N 進(jìn)口
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF630 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 主要參數(shù):200V 9A
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.18
- 詢(xún) 價(jià)
- 快恢復(fù) 肖特基二極管
  
  品牌:進(jìn)口名牌，其他，其他 | 型號(hào):2SK2611 2SK2698 2SK2485 FS10SM18A G60M301 IRFP450 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥2.50
- 詢(xún) 價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管IRF630，IRF730
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF630 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開(kāi)啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irf630場(chǎng)效應(yīng)管 irf730場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.25
- 詢(xún) 價(jià)
- IR場(chǎng)效應(yīng)管IRF530，IRF630
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF530 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):. | 開(kāi)啟電壓:. | 夾斷電壓:.
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 irf630場(chǎng)效應(yīng)管 irf530場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢(xún) 價(jià)
- FDP6035AL，IRF620,IRF630
- ≥50 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢(xún) 價(jià)
- 進(jìn)口IRF630場(chǎng)效應(yīng)
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF630 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
- 1000-4999 個(gè)
  
  ￥0.30
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.25
- 詢(xún) 價(jià)

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