品牌:士蘭微 | 型號:SVF3205F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.01
≥1 個
¥1.00
品牌:賽福 | 型號:WSEM系列MOSFET系列逆變式直流電容CBB15 0.47UF 1200.VDC | 介質(zhì)材料:有機薄膜 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1600(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):≥3000S(MΩ•µF)(mΩ) | 損耗:tgδ≤20*10-4 (100Hz,1Vrms) | 額定電壓:1400(V) | 絕緣電阻:≥3000S(MΩ•µF)(mΩ) | 溫度系數(shù):-25℃—+75℃ | 標(biāo)稱容量:10/20/2/3/4/5/6UF等(uF)
≥50 PCS
¥7.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF13N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥3.50
品牌:OGFD | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.02
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.45
品牌:PUOLOP | 型號:PTP/F7N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥3.36
品牌:PUOLOP | 型號:PTP/F740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥2.00
品牌:PUOLOP | 型號:PTP/F8N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.70
品牌:PUOLOP | 型號:PTU/D630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.03
品牌:PUOLOP | 型號:PTU/D4N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.10
品牌:PUOLOP | 型號:PTU/D1N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.62
品牌:華晶 | 型號:CS4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
≥100 千克
¥0.78
品牌:華晶 | 型號:CS2N60B8 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
¥0.97
品牌:華晶 | 型號:CS630A4H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
¥0.84
品牌:華晶 | 型號:CS100N03B8 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
¥1.14
品牌:華晶 | 型號:CS1N60B3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.52
品牌:華晶 | 型號:CS1N60A1H-BD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
¥0.36
品牌:華晶 | 型號:CS7N60FA9HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
¥1.32
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD413 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
1-4999 個
¥0.50
≥5000 個
¥0.48