品牌:Sanyo/三洋 | 型號:CPH6429-TL-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2 | 開啟電壓:4 | 極間電容:220

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSP4N60/FQP4N60C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:10+ | 封裝:TO-220

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:20N60A4D 20N60A4 | 封裝形式:TO-247 | 材料:硅(Si) | 應(yīng)用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:KIA | 型號:KIA2N60，KIA4N60，KIA5N60，KIA7N60， | 封裝:TO-251/TO-220 | 批號:2011+ | 是否提供加工定制:否

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:FQP4N60C，F(xiàn)QPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:2011+ | 封裝:TO220，TO220F

批號:2013+ | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 型號:4N60 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 品牌:士蘭原裝正品 | 用途:S/開關(guān) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝:TO-220/TO-220F/252

品牌:SILAN/FAIRCHILD | 型號:1N60，2N60，4N60，7N60，8N60，10N60 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-92/TO-251/TO-220

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG40N60A4 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOTF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4000 | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:600 | 最大耗散功率:104000

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF4N60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:UTC/友順 | 型號:2n60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:線性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Federick美國 | 型號:4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:*

品牌:FQU | 型號:2N60、3N60、4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4BC20KDPbF | 用途:HI-REL/高可靠性 | 最大漏極電流:16A | 跨導(dǎo):5 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:600 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:600 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:3 | 最大耗散功率:60W

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSS4N60B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

品牌:江蘇東光 | 型號:DG 4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF6N80C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4000 | 跨導(dǎo):100 | 開啟電壓:800 | 夾斷電壓:800 | 低頻噪聲系數(shù):100 | 極間電容:100 | 最大耗散功率:1000