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  1. 4n60場效應(yīng)管

    • ST 意法）STD5NM60 STD5NM60T4進(jìn)口

      品牌:ST/意法 | 型號:STD5NM60T4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5

    • ≥1 個

      ￥0.10

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    • 貨！ IRG4PC40WPBF IRG4PC40W G4PC40W IR品牌 TO-247

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PC40WPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):600 | 最大漏極電流:14065 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數(shù):60 | 極間電容:600 | 最大耗散功率:65

    • ≥1 個

      ￥9.50

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    • 全系列FSC場效應(yīng)管HGTG30N60A4D 全市

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG30N60A4D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

    • 1000-4999 個

      ￥0.50

    • 5000-9999 個

      ￥0.49

    • ≥10000 個

      ￥0.48

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    • FQP4N60 仙童FAIRCHILD

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1

    • ≥1000 個

      ￥1.10

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    • STSTP4NK60、STP4NK60ZP

      品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:直插TO-220

    • ≥50 個

      ￥1.30

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    • 東芝 場效應(yīng)管 K4A60DB

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K4A60DB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

    • ≥5000 個

      ￥1.50

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    • 東芝進(jìn)口 場效應(yīng)管 TK4A60DB

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TK4A60DB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

    • ≥5000 個

      ￥1.10

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    • 仙童單管HGTG30N60A4D

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG30N60A4D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

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    • 進(jìn)口 MOS管 場效應(yīng)管 STD5NK60ZT4

      品牌:ST/意法 | 型號:STD5NK60ZT4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩(wěn)壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-252

    • ≥5000 個

      ￥1.20

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    • FQPF4N60

      品牌:Federick美國 | 型號:FQPF4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥100 個

      ￥0.83

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    • SSS4N60B，SSS4N60，F(xiàn)SC

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSS4N60B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

    • ≥1 個

      ￥1.00

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    • 場效應(yīng)管4N60

      品牌:仙童 | 型號:4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

    • ≥1000 個

      ￥0.68

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    • 場效應(yīng)管UTC4N60

      品牌:UTC/友順 | 型號:UTC4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

    • ≥2500 個

      ￥1.15

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    • 進(jìn)口仙童 FQP2N60 FQP2N60 FQP4N60 FQP6N60 FQP8N80

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:TO-126 | 封裝:DIP

    • ≥100 個

      ￥1.00

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    • 進(jìn)口仙童FAIRCHILD場效應(yīng)管FQP4N60

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:詳見規(guī)格書 | 低頻噪聲系數(shù):詳見規(guī)格書 | 極間電容:詳見規(guī)格書

    • 1000-8999 個

      ￥0.90

    • ≥9000 個

      ￥0.89

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    • 場效應(yīng)管FQP4N60

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

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    • SVF4N60 SL Silan 士蘭微電子

      品牌:SL Silan 士蘭微電子 | 型號:SVF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

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