品牌:ST/意法 | 型號:STD4NK60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSS4N60B | 功率:1 | 用途:MW/微波 | 封裝:TO-220F | 批號:11+ | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數(shù):1

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:4N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1（pF） | 跨導:4.7S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:670（V） | 低頻噪聲系數(shù):4.7S（μS） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:60W（mW）

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:7A（mA） | 跨導:6.5S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:620（V） | 低頻噪聲系數(shù):1（dB） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:100W（mW）

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP60R380E6 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:8 | 跨導:4 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):8 | 極間電容:8 | 最大耗散功率:8

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPW60R190C6 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:8 | 跨導:4 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:20.2 | 低頻噪聲系數(shù):8 | 極間電容:8 | 最大耗散功率:8

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4A（mA） | 跨導:4.7S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:620（V） | 低頻噪聲系數(shù):1（dB） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:60W（mW）

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:MA | 跨導:1 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:650 | 低頻噪聲系數(shù):DB | 極間電容:PS | 最大耗散功率:MW

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導:n | 最大漏極電流:n | 開啟電壓:n | 夾斷電壓:n | 低頻噪聲系數(shù):n | 極間電容:n | 最大耗散功率:n

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60，4N60B | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道