參數(shù)資料
型號： BUK95R2-40B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： TrenchMOS邏輯電平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 8/16頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： BUK95R2-40B
Philips Semiconductors
BUK95/963R2-40B
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 16 January 2003
8 of 15
9397 750 10844
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03ng52
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (oC)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03ng53
10-6
10-5
10-4
10
-3
10
-2
10
-1
ID
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VGS (V)
max
typ
min
03nh53
0
50
100
150
200
0
20
40
60
ID (A)
gfs
(S)
03nh58
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
C
(pF)
10
-1
1
10
10
2
VDS (V)
Ciss
Coss
Crss
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