參數(shù)資料
型號： BUK95R2-40B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： TrenchMOS邏輯電平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： BUK95R2-40B
Philips Semiconductors
BUK95/963R2-40B
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 16 January 2003
6 of 15
9397 750 10844
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Source-drain diode
V
SD
source-drain (diode forward)
voltage
reverse recovery time
recovered charge
I
S
= 40 A; V
GS
= 0 V;
Figure 15
I
S
= 20 A;dI
S
/dt =
100 A/
μ
s
V
GS
=
10 V; V
DS
= 20 V
-
0.85
1.2
V
t
rr
Q
r
-
-
70
127
-
-
ns
nC
Table 4:
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK9605-30A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
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