參數(shù)資料
型號(hào)： BUK95R2-40B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： TrenchMOS邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： BUK95R2-40B
Philips Semiconductors
BUK95/963R2-40B
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 16 January 2003
9 of 15
9397 750 10844
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03nh54
0
20
40
60
80
100
ID
(A)
0
1
2
3
VGS (V)
Tj = 175 oC
Tj = 25 oC
03nh52
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
QG (nC)
VGS
(V)
VDD = 14 V
VDD = 32 V
03nh51
0
20
40
60
80
100
IS
(A)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD (V)
Tj = 175 oC
Tj = 25 oC
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