參數(shù)資料
型號： BUK95R2-40B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： TrenchMOS邏輯電平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： BUK95R2-40B
Philips Semiconductors
BUK95/963R2-40B
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 16 January 2003
3 of 15
9397 750 10844
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
V
GS
≥
5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03na19
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb
(°
C)
Pder
(%)
03nh38
0
50
100
150
200
250
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
ID
(A)
Capped at 100 A due to package
P
der
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
03nh36
1
10
10
2
10
3
104
10
-1
1
10
10
2
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
1 ms
tp = 10 μs
100 μs
Capped at 100 A due to package
Limit RDSon = VDS/ID
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