參數(shù)資料
型號： BSM25GD120DN2E3224
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT Power Module
中文描述： 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONOPACK-17
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： BSM25GD120DN2E3224
8
Oct-20-1997
BSM 25 GD 120 DN2
Forward characteristics of fast recovery
reverse diode
I
F
= f(V
F
)
parameter:
T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
3.0
V
F
0
5
10
15
20
25
30
35
40
A
50
I
F
T
j
=25°C
=125°C
j
T
Transient thermal impedance Diode
Z
th JC
=
(
t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
-3
10
-5
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
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BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
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參數(shù)描述
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