參數(shù)資料
型號： BSM25GD120DN2E3224
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT Power Module
中文描述： 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONOPACK-17
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 270K
代理商： BSM25GD120DN2E3224
2
Oct-20-1997
BSM 25 GD 120 DN2
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Gate threshold voltage
V
GE
=
V
CE,
I
C
= 1 mA
Collector-emitter saturation voltage
V
GE
= 15 V,
I
C
= 25 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 25 A,
T
j
= 125 °C
Zero gate voltage collector current
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Gate-emitter leakage current
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
V
GE(th)
4.5
5.5
6.5
V
V
CE(sat)
-
-
3.1
2.5
3.7
3
I
CES
-
-
2
0.5
-
0.8
mA
I
GES
-
-
180
nA
AC Characteristics
Transconductance
V
CE
= 20 V,
I
C
= 25 A
Input capacitance
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1 MHz
Output capacitance
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1 MHz
Reverse transfer capacitance
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1 MHz
g
fs
10
-
-
S
C
iss
-
1650
-
pF
C
oss
-
250
-
C
rss
-
110
-
相關PDF資料
PDF描述
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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