參數(shù)資料
型號(hào)： BSM25GD120DN2E3224
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT Power Module
中文描述： 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONOPACK-17
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 270K
代理商： BSM25GD120DN2E3224
3
Oct-20-1997
BSM 25 GD 120 DN2
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Switching Characteristics, Inductive Load at
T
j
= 125 °C
Turn-on delay time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 25 A
R
Gon
= 47
Rise time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 25 A
R
Gon
= 47
Turn-off delay time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 25 A
R
Goff
= 47
Fall time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 25 A
R
Goff
= 47
t
d(on)
-
75
150
ns
t
r
-
65
130
t
d(off)
-
400
600
t
f
-
50
100
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
I
F
= 25 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 25 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Reverse recovery time
I
F
= 25 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
d
i
F
/
dt
= -800 A/μs,
T
j
= 125 °C
Reverse recovery charge
I
F
= 25 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
d
i
F
/
dt
= -800 A/μs
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
F
-
-
1.8
2.3
-
2.8
V
t
rr
-
0.13
-
μs
Q
rr
-
-
6
2.3
-
-
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BSM25GP120_B2 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1600V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM282F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 11A I(D)
BSM284F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 20A I(D)
BSM294F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)DSS | 18A I(D)
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