參數(shù)資料
型號： BSM25GD120DN2E3224
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT Power Module
中文描述： 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONOPACK-17
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： BSM25GD120DN2E3224
5
Oct-20-1997
BSM 25 GD 120 DN2
Typ. output characteristics
I
C
= f (V
CE
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
T
j
= 25 °C
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
5
10
15
20
25
30
35
40
A
50
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
Typ. output characteristics
I
C
= f (V
CE
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
T
j
= 125 °C
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
5
10
15
20
25
30
35
40
A
50
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
Typ. transfer characteristics
I
C
= f (V
GE
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
V
CE
= 20 V
0
2
4
6
8
10
V
V
GE
14
0
5
10
15
20
25
30
35
40
A
50
I
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BSM282F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 11A I(D)
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