參數(shù)資料
型號： BSM25GD120DN2E3224
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT Power Module
中文描述： 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONOPACK-17
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： BSM25GD120DN2E3224
6
Oct-20-1997
BSM 25 GD 120 DN2
Typ. gate charge
V
GE
=
(
Q
Gate
)
parameter:
I
C puls
= 25 A
0
20
40
60
80
100
120
140 nC 170
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GE
800 V
600 V
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
CE
)
parameter:
V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
V
CE
40
-2
10
-1
10
0
10
1
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
Reverse biased safe operating area
I
Cpuls
= f(V
CE
)
,
T
j
= 150°C
parameter:
V
GE
= 15 V
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls
/
I
C
Short circuit safe operating area
I
Csc
= f(V
CE
) ,
T
j
= 150°C
parameter:
V
GE
= ± 15 V,
t
SC
≤
10 μs, L < 50 nH
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
0
2
4
6
8
12
I
Csc
/
I
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
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BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
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參數(shù)描述
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BSM282F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 11A I(D)
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