- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄381605 > BS62LV2006STI55 (BRILLIANCE SEMICONDUCTOR, INC.) Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BS62LV2006STI55 |
| 廠商： | BRILLIANCE SEMICONDUCTOR, INC. |
| 英文描述： | Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| 中文描述： | 非常低功耗CMOS SRAM 256K × 8位 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 361K |
| 代理商： | BS62LV2006STI55 |
BS62LV2006
R0201-BS62LV2006
Revision
May.
1.3
2006
6
n
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= -40
O
C to +85
O
C)
WRITE CYCLE
JEDEC
PARAMETER
NAME
CYCLE TIME : 55ns
(V
CC
= 3.0~5.5V)
MIN.
TYP.
CYCLE TIME : 70ns
(V
CC
= 2.7~5.5V)
MIN.
TYP.
PARANETER
NAME
DESCRIPTION
MAX.
MAX.
UNITS
t
AVAX
t
WC
Write Cycle Time
55
--
--
70
--
--
ns
t
E1LWH
t
CW
Chip Select to End of Write
55
--
--
70
--
--
ns
t
AVWL
t
AS
Address Set up Time
0
--
--
0
--
--
ns
t
AVWH
t
AW
Address Valid to End of Write
55
--
--
70
--
--
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
30
--
--
35
--
--
ns
t
WHAX
t
WR1
Write Recovery Time
(CE1, WE)
0
--
--
0
--
--
ns
t
E2LAX
t
WR2
Write Recovery Time
(CE2)
0
--
--
0
--
--
ns
t
WLQZ
t
WHZ
Write to Output High Z
--
--
25
--
--
30
ns
t
DVWH
t
DW
Data to Write Time Overlap
25
--
--
30
--
--
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold from Write Time
0
--
--
0
--
--
ns
t
GHQZ
t
OHZ
Output Disable to Output in High Z
--
--
25
--
--
30
ns
t
WHQX
t
OW
End of Write to Output Active
5
--
--
5
--
--
ns
n
SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)
WRITE CYCLE 1
(1)
t
WC
t
WR1
(3)
t
CW
(11)
t
CW
(11)
t
WP
(2)
t
AW
t
OHZ
(4,10)
t
AS
t
WR2
(3)
t
DH
t
DW
D
IN
D
OUT
WE
CE2
CE1
OE
ADDRESS
(5)
(5)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS62LV2006STI70 | Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| BS62LV2006TC55 | Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| BS62LV2006TC70 | Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| BS62LV2006TI55 | Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| BS62LV2006TI70 | Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BS62LV2006STI-55 | 制造商:BSI 制造商全稱:Brilliance Semiconductor 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| BS62LV2006STI70 | 制造商:BSI 制造商全稱:Brilliance Semiconductor 功能描述:Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| BS62LV2006STI-70 | 制造商:BSI 制造商全稱:Brilliance Semiconductor 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| BS62LV2006STIG55 | 制造商:BSI 制造商全稱:Brilliance Semiconductor 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| BS62LV2006STIG70 | 制造商:BSI 制造商全稱:Brilliance Semiconductor 功能描述:Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。