參數(shù)資料
型號(hào)： BLF1820-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, FM-2
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： BLF1820-90
2003 Feb 10
9
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF1820-90
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT502A
99-12-28
03-01-10
0
5
10 mm
scale
Flanged LDMOST ceramic package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT502A
p
L
A
F
b
D
U2
H
Q
c
1
3
2
D1
E
A
C
q
U1
C
B
E1
M
M
w2
UNIT
A
mm
D
b
12.83
12.57
0.15
0.08
20.02
19.61
9.53
9.25
19.94
18.92
9.91
9.65
4.72
3.43
c
U2
0.25
0.51
27.94
q
w2
w1
F
1.14
0.89
U1
34.16
33.91
L
5.33
4.32
p
3.38
3.12
Q
1.70
1.45
E
E1
9.50
9.30
inches
0.505
0.495
0.006
0.003
0.788
0.772
D1
19.96
19.66
0.786
0.774
0.375
0.364
0.785
0.745
0.390
0.380
0.186
0.135
0.01
0.02
1.100
0.045
0.035
1.345
1.335
0.210
0.170
0.133
0.123
0.067
0.057
0.374
0.366
H
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
w1
A
B
M
M
M
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PDF描述
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BLF1822-10,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANSISTOR UHF PWR LDMOS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF182XRSU 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 108MHz 28dB 250W 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:108MHz 增益:28dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:250W 電壓 - 額定:135V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20
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