參數(shù)資料
型號(hào)： BLF1820-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, FM-2
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 107K
代理商： BLF1820-90
2003 Feb 10
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF1820-90
APPLICATION INFORMATION
RF performance in a common source class-AB circuit. T
h
= 25
°
C; R
th j-h
= 0.81 K/W; unless otherwise specified.
Ruggedness in class-AB operation
The BLF1820-90 is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 10 : 1 through all phases under
the following conditions: V
DS
= 26 V; I
DQ
= 750 mA; P
L
= 90 W; f = 2000 MHz (single tone).
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
DS
(V)
I
DQ
(mA)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
D
(%)
d
im
(dBc)
≤
25
Two-tone, class-AB
f
1
= 2000; f
2
= 2000.1
26
750
90 (PEP)
>11
>30
handbook, halfpage
(dB)
0
40
120
5
80
PL (W) (PEP)
Gp
η
D
(%)
40
10
50
0
10
20
30
MLD556
η
D
Fig.2
Powergainanddrainefficiencyasfunctions
of peak envelope load power; typical
values.
V
DS
= 26 V; I
= 750 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
0
40
PL (PEP) (W)
120
20
60
80
40
d3
d5
80
MLD557
d7
V
DS
= 26 V; I
= 750 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
Fig.3
Intermodulation distortion products as
functions of peak envelope load power;
typical values.
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BLF1822-10,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANSISTOR UHF PWR LDMOS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF182XRSU 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 108MHz 28dB 250W 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:108MHz 增益:28dB 電壓 - 測(cè)試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:100mA 功率 - 輸出:250W 電壓 - 額定:135V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20
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