參數(shù)資料
型號(hào)： BLF1820-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, FM-2
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 107K
代理商： BLF1820-90
2003 Feb 10
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF1820-90
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Determined under specified RF operating conditions.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
The value of capacitance is that of the die only.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-h
thermal resistance from junction to heatsink T
h
= 25
°
C; note 1
0.81
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
6.2
0.1
5.1
MAX.
5.5
15
38
UNIT
V
(BR)DSS
V
GSth
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DSon
C
rss
drain-source breakdown voltage
gate-source threshold voltage
drain-source leakage current
on-state drain current
gate leakage current
forward transconductance
drain-source on-state resistance
feedback capacitance
V
GS
= 0; I
D
= 2.1 mA
V
DS
= 10 V; I
D
= 210 mA
V
GS
= 0; V
DS
= 26 V
V
GS
=V
GSth
+ 9 V; V
DS
= 10 V
V
GS
=
±
15 V; V
DS
= 0
V
DS
= 10 V; I
D
= 7.5 A
V
GS
= V
GSth
+ 9 V; I
D
= 7.5 A
V
GS
= 0; V
DS
= 26 V; f = 1 MHz;
note 1
65
4.4
27
V
V
μ
A
A
nA
S
pF
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PDF描述
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