參數(shù)資料
型號(hào)： BLF1820-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, FM-2
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： BLF1820-90
2003 Feb 10
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF1820-90
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
40
120
5
80
PL (W)
(1)
(1)
η
D
(%)
40
10
50
0
10
20
30
MLD558
(2)
(2)
(3)
(3)
Fig.4
Powergainanddrainefficiencyasfunctions
of average load power; typical values.
V
DS
= 26 V; I
= 750 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
(1) I
DQ
= 600 mA.
(2) I
DQ
= 750 mA.
(3) I
DQ
= 900 mA.
handbook, halfpage
d3
(dBc)
0
40
PL (PEP) (W)
120
20
60
80
40
(1)
(2)
80
MLD559
(3)
Fig.5
Intermodulation distortion products as
functions of peak envelope load power;
typical values.
V
DS
= 26 V; I
= 750 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
(1) I
DQ
= 600 mA.
(2) I
DQ
= 750 mA.
(3) I
DQ
= 900 mA.
handbook, halfpage
Zi
(
)
1.6
1.8
ri
xi
f (GHz)
2
2.2
4
0
2
2
MLD560
Fig.6
Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
DS
= 26 V; I
DQ
= 750 mA; P
L
= 90 W; T
h
≤
25
°
C.
handbook, halfpage
ZL
(
)
1.6
1.8
RL
XL
f (GHz)
2
2.2
2
2
4
0
MLD561
Fig.7
Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
DS
= 26 V; I
DQ
= 750 mA; P
L
= 90 W; T
h
≤
25
°
C.
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