參數(shù)資料
型號： BLF1820-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, FM-2
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： BLF1820-90
2003 Feb 10
7
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF1820-90
List of components
See Figs 8 and 9.
Notes
1.
2.
3.
American Technical Ceramics type 100B or capacitor of same quality.
American Technical Ceramics type 100A or capacitor of same quality.
The striplines are on a double copper-clad printed-circuit board with Teflon dielectric (
ε
r
= 2.2); thickness 0.79 mm.
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE NO.
C1, C2, C7, C8 Tekelec variable capacitor; type 37271
C3, C9
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
C4, C10
multilayer ceramic chip capacitor; note 2
C5, C12, C16
electrolytic capacitor
C6, C11, C15
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
C13, C17
electrolytic capacitor
C14
multilayer ceramic chip capacitor
F1
Ferroxcube chip-bead 8DS3/3/8/9-4S2
L1
stripline; note 3
L2
L3
L4
L5
L6
L7
L8
L9
L10
L11
L12
L13
L14
L15
L16
L17
L18
L19
L20
R1, R2
metal film resistor
0.6 to 4.5 pF
12 pF
12 pF
4.5
μ
F; 50 V
1 nF
100
μ
F; 63 V
100 nF
2222 037 58101
2222 581 16641
4330 030 36301
50
10.8
50
6
50
9
50
18.5
24.4
5.1
5.1
25.4
5.7
25.4
10
50
11.8
50
50
50
10
, 0.6 W
2.9
×
2.4 mm
4
×
16.3 mm
3.7
×
2.4 mm
2
×
30.8 mm
3.6
×
2.4 mm
3
×
19.9 mm
7.8
×
2.4 mm
4
×
8.8 mm
5
×
6.3 mm
7
×
37 mm
7
×
40.9 mm
10.1
×
6 mm
2.4
×
32.8 mm
6.4
×
6 mm
3.5
×
20.7 mm
10.8
×
2.4 mm
3
×
7.9 mm
2.3
×
2.4 mm
3
×
2.4 mm
5.5
×
2.4 mm
2322 156 11009
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLV194 UHF power transistor
BRY39 Programmable unijunction transistor/ Silicon controlled switch
BSN254 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
BSN254A N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
BST70 N-channel vertical D-MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLF1820-90,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 BULK TNS-RFPR RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF1820-90,135 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BLF1822-10 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power LDMOS transistor
BLF1822-10,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANSISTOR UHF PWR LDMOS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF182XRSU 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 108MHz 28dB 250W 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:108MHz 增益:28dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:250W 電壓 - 額定:135V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*