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參數(shù)資料
| 型號： | BD616LV4017DIG70 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| 中文描述： | 非常低功率/電壓CMOS SRAM的256 × 16位 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 265K |
| 代理商： | BD616LV4017DIG70 |
Revision 2.1
Jan. 2004
7
R0201-BS616LV4017
SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)
BSI
BS616LV4017
t
WR
WRITE CYCLE1
(1)
t
WC
(3)
t
CW
(10)
t
BW
(2)
t
WP
t
AW
t
OHZ
(4,11)
t
AS
(3)
t
DH
t
DW
D
IN
D
OUT
WE
LB,UB
CE
OE
ADDRESS
(5)
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
( TA = -40 to + 85
o
C )
WRITE CYCLE
JEDEC
PARAMETER
NAME
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
BW
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHOX
PARAMETER
NAME
DESCRIPTION
(Vcc = 2.7~5.5V)
MIN. TYP. MAX.
MIN. TYP. MAX.
UNIT
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
BW
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
Write Cycle Time
70
--
--
55
--
--
ns
Chip Select to End of Write
70
--
--
55
--
--
ns
Address Setup Time
0
--
--
0
--
--
ns
Address Valid to End of Write
70
--
--
55
--
--
ns
Write Pulse Width
35
--
--
30
--
--
ns
Write recovery Time
(CE,WE)
0
--
--
0
--
--
ns
Date Byte Control to End of Write
(LB,UB)
30
--
--
25
--
--
ns
Write to Output in High Z
--
--
30
--
--
25
ns
Data to Write Time Overlap
30
--
--
25
--
--
ns
Data Hold from Write Time
0
--
--
0
--
--
ns
Output Disable to Output in High Z
--
--
30
--
--
25
ns
End of Write to Output Active
5
--
--
5
--
--
ns
1. t
BW
is 30ns/25ns (@speed=70ns/55ns) with address toggle. ; t
BW
is 70ns/55ns (@speed=70ns/55ns) without address toggle.
(1)
NOTE :
CYCLE TIME : 70ns
CYCLE TIME : 55ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD616LV4017DIP55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| BD616LV4017DIP70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| BD616LV4017EC-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| BD616LV4017EC-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| BD616LV4017ECG55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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