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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BD616LV4017DIG70 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| 中文描述： | 非常低功率/電壓CMOS SRAM的256 × 16位 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 265K |
| 代理商： | BD616LV4017DIG70 |
Revision 2.1
Jan. 2004
4
BSI
BS616LV4017
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN. TYP.
(1)
MAX.
UNITS
V
DR
Vcc for Data Retention
CE
≧
Vcc - 0.2V
V
IN
≧
Vcc - 0.2V or V
IN
≦
0.2V
1.5
--
--
V
I
CCDR
Data Retention Current
CE
≧
Vcc - 0.2V
V
IN
≧
Vcc - 0.2V or V
IN
≦
0.2V
--
0.3
1.3
uA
t
CDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
0
--
--
ns
t
R
Operation Recovery Time
See Retention Waveform
T
RC
(2)
--
--
ns
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
( TA = -40 to + 85
o
C )
1. Vcc = 1.5V, T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. I
cc
DR
_
MAX.
is 0.8uA at T
A
=70
O
C.
R0201-BS616LV4017
LOW V
CC
DATA RETENTION WAVEFORM
( CE Controlled )
CE
Data Retention Mode
≥
Vcc
t
CDR
Vcc
t
R
V
IH
V
IH
Vcc
V
DR
1.5V
CE Vcc - 0.2V
(3)
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD616LV4017DIP55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| BD616LV4017DIP70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| BD616LV4017EC-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| BD616LV4017EC-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
| BD616LV4017ECG55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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