| 型號: | BDV65B |
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述: | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 封裝: | PLASTIC, CASE 340D-02, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商: | BDV65B |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDW51C | Bipolar NPN Device |
| BDW52A | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| BDW52 | Power Transistors |
| BDY91 | Power Transistors |
| BDY92 | Power Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BDV65B/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
| BDV65B_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
| BDV65B_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
| BDV65BG | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDV65B-S | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 100V 12A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |