參數(shù)資料
型號(hào)： BCV26
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： BCV26
SOT23 PNP SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 3 SEPTEMBER 1995
FEATURES
*
Low saturation voltage
COMPLEMENTARY TYPE
BCV26 - BCV27
BCV46 - BCV47
BCV26 - ZFD
BCV46 - ZFE
PARTMARKING DETAILS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
BCV26
BCV46
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-40
-80
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-30
-60
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-10
V
Peak Pulse Current
I
CM
-800
mA
Continuous Collector Current
I
C
-500
mA
Base Current
I
B
-100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
BCV26
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
-10
BCV46
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
-80
MAX.
V
(BR)CBO
-40
V
I
C
=100
μ
A
V
(BR)CEO
-30
-60
V
I
C
=10mA *
V
(BR)EBO
-10
-10
V
I
E
=10
μ
A
I
CBO
-100
-100
-10
nA
nA
μ
A
μ
A
V
CB
= -30V
V
CB
= -60V
V
CB
=-30V,T
amb
=150
o
C
V
CB
=-60V,T
amb
=150
o
C
Emitter Base
Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
EBO
-100
-100
nA
V
EB
=-4V
V
CE(sat)
-1.0
-1.0
V
I
C
=-100mA,I
B
=-0.1mA*
V
BE(sat)
-1.5
-1.5
V
I
C
=-100mA,I
B
=-0.1mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
4K
10K
20K
4K
2K
4K
10K
2K
I
C
=-100
μΑ,
V
CE
=-1V
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-5V*
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f = 20MHz
V
CB
=-10V, f=1MHz
Transition Frequency
f
T
200 Typical
200 Typical
MHz
Output Capacitance
C
obo
4.5 Typical
4.5 Typical
pF
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for these devices Periodic Sample Test Only.
BCV26
BCV46
C
B
E
3 - 21
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCV46 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCV28 PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
BCV29 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
BCV48 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
BCV49 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCV26 /T3 功能描述:達(dá)林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-11 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BCV26 T/R 功能描述:達(dá)林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-7 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BCV26,215 功能描述:達(dá)林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BCV26,235 功能描述:達(dá)林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BCV26 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
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