參數(shù)資料
型號(hào)： BCV46
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： BCV46
SOT23 PNP SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 3 SEPTEMBER 1995
FEATURES
*
Low saturation voltage
COMPLEMENTARY TYPE
BCV26 - BCV27
BCV46 - BCV47
BCV26 - ZFD
BCV46 - ZFE
PARTMARKING DETAILS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
BCV26
BCV46
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-40
-80
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-30
-60
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-10
V
Peak Pulse Current
I
CM
-800
mA
Continuous Collector Current
I
C
-500
mA
Base Current
I
B
-100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
BCV26
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
-10
BCV46
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
-80
MAX.
V
(BR)CBO
-40
V
I
C
=100
μ
A
V
(BR)CEO
-30
-60
V
I
C
=10mA *
V
(BR)EBO
-10
-10
V
I
E
=10
μ
A
I
CBO
-100
-100
-10
nA
nA
μ
A
μ
A
V
CB
= -30V
V
CB
= -60V
V
CB
=-30V,T
amb
=150
o
C
V
CB
=-60V,T
amb
=150
o
C
Emitter Base
Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
EBO
-100
-100
nA
V
EB
=-4V
V
CE(sat)
-1.0
-1.0
V
I
C
=-100mA,I
B
=-0.1mA*
V
BE(sat)
-1.5
-1.5
V
I
C
=-100mA,I
B
=-0.1mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
4K
10K
20K
4K
2K
4K
10K
2K
I
C
=-100
μΑ,
V
CE
=-1V
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-5V*
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f = 20MHz
V
CB
=-10V, f=1MHz
Transition Frequency
f
T
200 Typical
200 Typical
MHz
Output Capacitance
C
obo
4.5 Typical
4.5 Typical
pF
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for these devices Periodic Sample Test Only.
BCV26
BCV46
C
B
E
3 - 21
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCV28 PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
BCV29 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
BCV48 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
BCV49 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
BCW66 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCV46 T/R 功能描述:達(dá)林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-7 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BCV46,215 功能描述:達(dá)林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BCV46E6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
BCV46E6327HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans Darlington PNP 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS DARL PNP AF 60V SOT-23
BCV46E6327T 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:DARLINGTON TRANS
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*