參數(shù)資料
型號： BCV49
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 16K
代理商： BCV49
SOT89 NPN SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 3 – SEPTEMBER 1995
COMPLEMENTARY TYPE –
BCV48
PARTMARKING DETAILS –
EG
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
80
V
Collector-Emitter Voltage
60
V
Emitter-Base Voltage
10
V
Peak Pulse Current
800
mA
Continuous Collector Current
500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
1
W
-65 to +150
°C
TYP.
MAX .
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
80
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
60
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
10
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
10
nA
μ
A
nA
V
CB
=60V
V
CB
=60V, T
amb
=150°C
V
EB
=4V
I
C
=100mA, I
B
=0.1mA*
Emitter Cut-Off Current I
EBO
Collector-Emitter
S aturation Voltage
100
V
CE(sat)
1
V
Base-Emitter
S aturation Voltage
V
BE(sat)
1.5
V
I
C
=100mA, I
B
=0.1mA*
S tatic Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
2000
4000
10000
2000
I
C
=100
μ
A, V
CE
=1V
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
I
=50mA, V
CE
=5V
f = 20MHz
Transition Frequency
f
T
170
MHz
Output Capacitance
C
obo
3.5
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical graphs see FMMT38A datasheet Periodic Sample Test Only.
Spice parameter data is available upon request for this device
BCV49
C
C
B
E
SOT89
3 - 26
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW66 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW66 SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
BCW66F SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
BCW66G SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
BCW66H SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCV49 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DARLINGTON TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCV49 T/R 功能描述:達(dá)林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-7 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BCV49,115 功能描述:達(dá)林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BCV49,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCV49115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS DARL NPN 60V 0.5A SOT89
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