參數(shù)資料
型號： BCV48
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 16K
代理商： BCV48
SOT89 PNP SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 3 – SEPTEMBER 1995
%
COMPLEMENTARY TYPE –
BCV49
PARTMARKING DETAIL –
EE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-80
V
Collector-Emitter Voltage
-60
V
Emitter-Base Voltage
-10
V
Peak Pulse Current
-800
mA
Continuous Collector Current
-500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
1
W
-65 to +150
°C
TYP.
MAX .
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-80
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-60
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-10
V
I
E
=-10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
-10
nA
μ
A
nA
V
CB
=-60V
V
CB
=-60V, T
amb
=150°C
V
EB
=-4V
I
C
=-100mA, I
B
-0.1mA*
Emitter Cut-Off Current I
EBO
Collector-Emitter
S aturation Voltage
-100
V
CE(sat)
-1
V
Base-Emitter
S aturation Voltage
V
BE(sat)
-1.5
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
S tatic Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
2000
4000
10000
2000
I
C
=-100
μ
A, V
CE
=-1V
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-5V*
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f = 20MHz
Transition Frequency
f
T
200
MHz
Output Capacitance
C
obo
4.5
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Periodic Sample Test Only.
BCV48
C
C
B
E
SOT89
3 - 25
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PDF描述
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