參數(shù)資料
型號(hào)： ATAM893T-TKS
廠商： Atmel
文件頁(yè)數(shù)： 83/98頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC MON TIRE-PRESS ATARX9X SER
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 830
系列： MARC4
核心處理器： MARC4
芯體尺寸： 4-位
速度： 4MHz
連通性： SSI（2 線，3 線）
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 16
程序存儲(chǔ)器容量： 4KB（4K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： EEPROM
EEPROM 大小： 64 x 16
RAM 容量： 256 x 4
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 6.5 V
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 20-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）
包裝： 管件
84
4680C–4BMCU–01/05
ATAM893-D
Figure 5-65. FSK Modulation
6.
Data EEPROM
The internal data EEPROM offers 2 pages of 512 bits each. Both pages are organized as
32
× 16 bit words. The programming voltage as well as the write cycle timing is generated on
chip.
If it is necessary to be compatible with the ROM parts, only the default page must be used with
the flash part. Also for compatibility reasons the access to the EEPROM is handled via the MCL
(serial interface) as in the corresponding ROM parts.
The page select is performed by either writing ''01h'' (page 1) or ''09h'' (page 0) to the EEPROM.
Figure 6-1.
Block Diagram EEPROM
01 234 0 1 23 401 2 3
Counter 3
CM31
CM32
SO
401 20 1 201 2 0 12 0 1 20 120 1 20 123
T3R
40
T3O
1
01
0
16-bit read/write buffer
Address
control
8-bit data register
EEPROM
2
× 32 × 16
HV-generator
Timing control
Mode
control
I/O
control
SCL
V
DD
V
SS
SDA
Page 1
Page 0
--> write "01"h
--> write "09"h
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PDF描述
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參數(shù)描述
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