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    參數(shù)資料
    型號(hào): AS8510-ASST-500
    廠商: ams
    文件頁(yè)數(shù): 5/47頁(yè)
    文件大?。?/td> 0K
    描述: IC BATTERY MANAGEMENT 20-SSOP
    產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: AS8510 Data Acquisition IC
    標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
    類型: 電池管理
    輸入類型: 模擬,數(shù)字
    輸出類型: 模擬,數(shù)字
    接口: SPI 串行
    電流 - 電源: 5.5mA
    安裝類型: 表面貼裝
    封裝/外殼: 20-SSOP(0.209",5.30mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝: 20-SSOP
    包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
    其它名稱: AS8510-ASST-500DKR
    第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)當(dāng)前第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)
    www.ams.com/AS8510
    Revision 3.5
    12 - 46
    AS8510
    Datasheet - Electrical Character i s t ics
    6.4.3 Sigma Delta Analog to Digital Converter
    Notes:
    1. Production test at ±800mV. Maximum VIN can be 1.22V with VREF=1.225V.
    2. Programmable. It is defined with respect to the first decimator in the
    ΣΔ ADC.
    3. Programmable: Internal clock is 1024/2048 kHz; external clock max is 8192 kHz.
    4. Dependent on fovs, R1 and R2. The bandwidth is calculated according to the formula:
    BW=fovs/(2*R1*R2); the sampling frequency at the output of the A/D converter is 2*BW.
    5. Defined at maximum input signal, BW=500 Hz (1Hz to 500 Hz), fovs=1024 kHz, R1=64, fchop=2 kHz and R2=2.
    6. Reference voltage might be forced from external.
    6.4.4 Bandgap Reference Voltage
    Notes:
    1. Accuracy at 65C.
    2. No DC current is allowed from this pin.
    3. This is a design parameter and not production tested.
    Table 17. Sigma Delta Analog to Digital Converter
    Symbol
    Parameter
    Conditions
    Min
    Typ
    Max
    Units
    VREF
    Reference voltage
    6
    1.225
    V
    VINADC
    Input range
    1
    At Vref = 1.22V
    0±1.22
    V
    R1
    Oversampling ratio/Decimation Ratio
    2
    64
    128
    fovs
    Oversampling frequency
    3
    1024/
    2048
    kHz
    RES
    Number of bits
    16
    bits
    BW
    Bandwidth
    4
    1
    500
    Hz
    S/N
    Signal to noise ratio
    5
    90
    dB
    Table 18. Bandgap Reference Voltage
    Symbol
    Parameter
    Conditions
    Min
    Typ
    Max
    Units
    V
    REFTRIM
    Reference Voltage after trim
    1, 2
    Trim at 65C
    1.225
    V
    VREFACC
    Reference Voltage Initial Accuracy
    1, 2
    At 65C
    ±3.5
    mV
    VREFDRIFT
    Reference Voltage Temperature drift
    Temperature range
    -20 to 65 C
    ±0.4
    %
    Temperature range
    -40 to 125 C
    +0.4/
    -0.6
    %
    PSRRREF
    PSR @ dc
    80
    dB
    SUTAVDD
    Start Up Time with supply ramp
    3
    5ms
    SUTPD
    Start Up Time from power down
    3
    1ms
    RNDVREF
    Output resistance of band gap
    500
    1000
    Ω
    VNDVREF
    Bandgap reference thermal noise density
    3
    300
    nV/
    √Hz
    CLVREF
    Output Capacitor (Ceramic)
    100
    nF
    ESRVREF
    0.02
    1
    Ω
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