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參數(shù)資料
| 型號： | AM45DL3208G |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片封裝（MCP）閃存和SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 63/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1196K |
| 代理商： | AM45DL3208G |
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March 12, 2004
Am45DL3208G
61
P R E L I M I N A R Y
SRAM DATA RETENTION
Notes:
1. CE1#s
≥
V
CC
– 0.2 V CE2s
≥
V
CC
– 0.2 V (CE1#s controlled) or CE2s
≤
0.2 V (CE2s controlled), CIOs = V
SS
or V
CC
.
2. Typical values are not 100% tested.
Figure 34.
CE1#s Controlled Data Retention Mode
Figure 35.
CE2s Controlled Data Retention Mode
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Min
Typ
Max
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
CS1#s
≥
V
CC
– 0.2 V (Note 1)
V
CC
= 3.0 V, CE1#s
≥
V
CC
– 0.2 V
(Note 1)
2.7
3.3
V
I
DR
Data Retention Current
1.0
(Note 2)
100
μA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Set-Up Time
See data retention waveforms
0
ns
Recovery Time
t
RC
ns
V
DR
V
CC
2.7V
2.2V
CE1#s
GND
Data Retention Mode
CE1#s
≥
V
CC
-
0.2 V
t
SDR
t
RDR
V
CC
2.7 V
CE2s
0.4 V
GND
V
DR
Data Retention Mode
t
SDR
t
RDR
CE2s <
0.2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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