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參數(shù)資料
| 型號： | AM41DL6408G70IS |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封裝： | 8 X 11.60 MM, FBGA-73 |
| 文件頁數(shù)： | 56/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1139K |
| 代理商： | AM41DL6408G70IS |
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August 19, 2002
Am41DL6408G
55
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Figure 29.
SRAM Read Cycle
Notes:
1. WE# = V
IH
, if CIOs is low, ignore UB#s/LB#s timing.
2. t
HZ
and t
OHZ
are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to output
voltage levels.
3. At any given temperature and voltage condition, t
HZ
(Max.) is less than t
LZ
(Min.) both for a given device and from device to device
interconnection.
Data Valid
High-Z
t
RC
CE#1s
Address
OE#
Data Out
t
OH
t
AA
t
CO1
t
OE
t
OLZ
t
BLZ
t
LZ
t
OHZ
t
HZ
CE2s
t
CO2
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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