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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29SL800CB-100ED |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 29/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 960K |
| 代理商： | AM29SL800CB-100ED |
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35
AC CHARACTERISTICS
Temporary Sector Unprotect
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
tVIDR
VID Rise and Fall Time
Min
500
ns
tRSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
s
Note: The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21.
DQ2 vs. DQ6
Enter
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Program
Resume
Embedded
Erasing
RESET#
tVIDR
10 V
0 or 1.8 V
CE#
WE#
RY/BY#
tVIDR
tRSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 1.8 V
Figure 22.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29SL800CT150FC | 1M X 8 FLASH 1.8V PROM, 150 ns, PDSO48 |
| AM42BDS640AGBC8IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM42BDS640AGBC8IT | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM42BDS640AGBC9IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM42BDS640AG | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29SL800DB120WCI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 1.8V 8MBIT 1MX8/512KX16 120NS 48FBGA - Trays |
| AM29SL800DB90WAD | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29X305ADC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Microprocessor, 8 Bit, 50 Pin, Ceramic, DIP |
| AM2A016 | 制造商:MAG-LITE 功能描述:Bulk |
| AM2A026 | 制造商:MAG-LITE 功能描述:Bulk |
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