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參數(shù)資料
| 型號： | AM29SL800CB-100ED |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 24/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 960K |
| 代理商： | AM29SL800CB-100ED |
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30
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
Description
Speed Options
JEDEC
Std
-100
-120
-150
Unit
tELFL/tELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
10
ns
tFLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
50
60
ns
tFHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
100
120
150
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
tELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
tFLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
tELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
tFHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
Figure 15.
BYTE# Timings for Read Operations
Note: Refer to the Erase/Program Operations table for tAS and tAH specifications.
Figure 16.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
tHOLD (tAH)
tSET
(tAS)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29SL800CT150FC | 1M X 8 FLASH 1.8V PROM, 150 ns, PDSO48 |
| AM42BDS640AGBC8IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM42BDS640AGBC8IT | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM42BDS640AGBC9IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM42BDS640AG | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29SL800DB120WCI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 1.8V 8MBIT 1MX8/512KX16 120NS 48FBGA - Trays |
| AM29SL800DB90WAD | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29X305ADC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Microprocessor, 8 Bit, 50 Pin, Ceramic, DIP |
| AM2A016 | 制造商:MAG-LITE 功能描述:Bulk |
| AM2A026 | 制造商:MAG-LITE 功能描述:Bulk |
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