參數(shù)資料
型號(hào)： 71V25761SA200BG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 21/22頁(yè)
文件大?。?/td> 627K
代理商： 71V25761SA200BG
6.42
8
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration – 256K x 18, 165 fBGA
Pin Configuration – 128K x 36, 165 fBGA
NOTES:
1. H1 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage
≥ VIH, or left unconnected.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.
3. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4. Pins P11, N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 9M, 18M, 36M, 72M, 144M and 288M respectively.
5.
TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.
1
2
3456
789
10
11
ANC(4)
A7
CE1
BW3
BW2
CS1
BWE
ADSC
ADV
A8
NC
BNC
A6
CS0
BW4
BW1
CLK
GW
OE
ADSP
A9
NC(4)
CI/OP3
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
I/OP2
DI/O17
I/O16
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O15
I/O14
EI/O19
I/O18
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O13
I/O12
FI/O21
I/O20
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O11
I/O10
GI/O23
I/O22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O9
I/O8
HVDD(1)
NC
VDD
VSS
VDD
NC
ZZ(3)
JI/O25
I/O24
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O7
I/O6
KI/O27
I/O26
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O5
I/O4
LI/O29
I/O28
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O3
I/O2
MI/O31
I/O30
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O1
I/O0
NI/OP4
NC
VDDQ
VSS
NC/
TRST(2,5)
NC(4)
NC
VSS
VDDQ
NC
I/OP1
PNC
NC(4)
A5
A2
NC/TDI(2)
A1
NC/TDO(2)
A10
A13
A14
NC(4)
R
LBO
NC(4)
A4
A3
NC/TMS(2)
A0
NC/TCK(2)
A11
A12
A15
A16
5297 tbl 17
1
234
5678
9
10
11
ANC(4)
A7
CE1
BW2
NC
CS1
BWE
ADSC
ADV
A8
A10
BNC
A6
CS0
NC
BW1
CLK
GW
OE
ADSP
A9
NC(4)
CNC
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
I/OP1
DNC
I/O8
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O7
ENC
I/O9
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O6
FNC
I/O10
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O5
GNC
I/O11
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O4
HVDD(1)
NC
VDD
VSS
VDD
NC
ZZ(3)
JI/O12
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O3
NC
KI/O13
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O2
NC
LI/O14
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O1
NC
MI/O15
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O0
NC
NI/OP2
NC
VDDQ
VSS
NC/
TRST(2,5)
NC(4)
NC
VSS
VDDQ
NC
PNC
NC(4)
A5
A2
NC/TDI(2)
A1
NC/TDO(2)
A11
A14
A15
NC(4)
R
LBO
NC(4)
A4
A3
NC/TMS(2)
A0
NC/TCK(2)
A12
A13
A16
A17
5297 tbl 17a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
7P2FLV242I15 1M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 150 ns, XMA68
7P2FLV520C25 1M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 250 ns, XMA68
7P6FLV242C25 3M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 250 ns, XMA68
7P2FLV212I15 1M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 150 ns, XMA68
7P2FLV522I15 1M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 150 ns, XMA68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
71V25761YS200PFG 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過(guò)期 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商器件封裝:100-TQFP（14x20） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72
71V2576S133PFG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 4.2ns 100-Pin TQFP Tray
71V2576S133PFG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 4.2ns 100-Pin TQFP T/R
71V2576S150PF8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:71V2576S150PF8, 4.5MBIT SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 128K X 36 - Trays 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IDT 71V2576S150PF8, 4.5MBit SRAM Chip Sync Single 3.3V 128K x 36 3.8ns 100-Pin TQFP T/R
71V30L25TF 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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