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參數(shù)資料
| 型號： | μPD481850 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | Synchronous Graphics Memory (SGRAM)(8M 同步圖形存儲器) |
| 中文描述： | 同步圖形存儲器（SGRAM）（8分同步圖形存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 24/94頁 |
| 文件大小： | 1180K |
| 代理商： | ΜPD481850 |
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Preliminary Data Sheet
24
μ
PD481850 for Rev.L
Remark
H = High level, L = Low level, x = High or Low level (Don’t care),
BA = Bank address (A9)
State abbreviations
I = Idle
A = Bank active
R = Read with No precharge (No precharge is posted)
W = Write with No precharge (No precharge is posted)
RP = Read with auto precharge (Precharge is posted)
WP = Write with auto precharge (Precharge is posted)
Any = Any State
X0Y1 = Bank0 is in state “X”, Bank1 = in state “Y”
(X/Y)0Z1 = Z1(X/Y)0 = Bank0 is in state “X” or “Y”, Bank1 is in state “Z”
5. Initialization
The synchronous GRAM is initialized in the power-on sequence according to the following.
(1) To stabilize internal circuits, when power is applied, a 100
μ
s or longer pause must precede any signal toggling.
(2) After the pause, both banks must be precharged using the Precharge command (The Precharge all banks
command is convenient).
(3) Once the precharge is completed and the minimum t
RP
is satisfied, the mode register can be programmed.
After the mode register set cycle, t
RSC
(2
CLK minimum) pause must be satisfied as well.
(4) Two or more CBR (Auto) refresh must be performed.
Remarks 1.
The sequence of Mode register programming and Refresh above may be transposed.
2.
CKE and DQM may be held high until the Precharge command is asserted to ensure data-bus Hi-Z.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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