參數(shù)資料
型號： μPD45256163
廠商： NEC Corp.
英文描述： 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動態(tài)RAM)
中文描述： 256M位同步DRAM（256M同步動態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 23/84頁
文件大?。?/td> 1052K
代理商： ΜPD45256163
23
μ
PD45256441,45256841,45256163
Preliminary Data Sheet
7.1 Burst Length and Sequence
[Burst of Two]
Starting Address (column address
A0, binary)
Sequential Addressing Sequence
(decimal)
Interleave Addressing Sequence
(decimal)
0
0, 1
0, 1
1
1, 0
1, 0
[Burst of Four]
Starting Address (column address
A1 - A0, binary)
Sequential Addressing Sequence
(decimal)
Interleave Addressing Sequence
(decimal)
00
0, 1, 2, 3
0, 1, 2, 3
01
1, 2, 3, 0
1, 0, 3, 2
10
2, 3, 0, 1
2, 3, 0, 1
11
3, 0, 1, 2
3, 2, 1, 0
[Burst of Eight]
Starting Address (column address
A2 - A0, binary)
Sequential Addressing Sequence
(decimal)
Interleave Addressing Sequence
(decimal)
000
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
001
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 0
1, 0, 3, 2, 5, 4, 7, 6
010
2, 3, 4, 5, 6, 7, 0, 1
2, 3, 0, 1, 6, 7, 4, 5
011
3, 4, 5, 6, 7, 0, 1, 2
3, 2, 1, 0, 7, 6, 5, 4
100
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
101
5, 6, 7, 0, 1, 2, 3, 4
5, 4, 7, 6, 1, 0, 3, 2
110
6, 7, 0, 1, 2, 3, 4, 5
6, 7, 4, 5, 2, 3, 0, 1
111
7, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6
7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, 0
Full page burst is an extension of the above tables of Sequential Addressing, with the length being 2,048
(for 64M x4 device), 1,024 (for 32M x8 device), 512 (for 16M x16 device).
相關PDF資料
PDF描述
μPD45256441 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動態(tài)RAM)
μPD45256841 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動態(tài)RAM)
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μPD4564441 64M-bit Synchronous DRAM(64M同步動態(tài)RAM)
μPD4564841 64M-bit Synchronous DRAM(64M同步動態(tài)RAM)
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