參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6416V2012BI
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： MO-163, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 24/27頁(yè)
文件大?。?/td> 334K
代理商： WED9LC6416V2012BI
6
White Electronic Designs Corporation Westborough, MA (508) 366-5151
White Electronic Designs
WED9LC6416V
SSRAM OPERATION TRUTH TABLE
Operation
Address Used
SSCE
SSADS
SSWE
SSOE
DQ
Deselected Cycle, Power Down
None
H
L
X
High-Z
WRITE Cycle, Begin Burst
External
L
X
D
READ Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
Q
READ Cycle, Begin Burst
External
L
H
High-Z
READ Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
Q
READ Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
High-Z
READ Cycle, Suspend Burst
Current
H
L
Q
READ Cycle, Suspend Burst
Current
H
High-Z
WRITE Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
X
D
WRITE Cycle, Suspend Burst
Current
H
L
X
D
NOTE:
1. X means “don’t care”, H means logic HIGH. L means logic LOW.
2. All inputs except SSOE must meet setup and hold times around the rising edge (LOW to HIGH) of SSCLK.
3. Suspending burst generates wait cycle
4. For a write operation following a read operation, SSOE must be HIGH for data tS + tOEHZ and must stay HIGH throughout the input data hold time.
SSRAM PARTIAL TRUTH TABLE
Function
SSWE BWE0 BWE1 BWE2 BWE3
READ
H
X
WRITE one Byte (DQ0-7)L
L
H
WRITE all Bytes
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WF128K16-150CI5 128K X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CDIP40
WME128K8-250CIE 128K X 8 EEPROM 5V, 250 ns, CDIP32
WS128K32-70G1UMA 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CQMA68
W24L01AQ-12 128K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO32
WMS128K8-120CI 128K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDIP32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LC6416V-BC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SSRAM/SDRAM MCP
WED9LC6816V 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1310BC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1310BI 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1312BC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
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